Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
UPA2680T1E-E2-AT
MOSFET N-CH 20V 3A 6MLP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-VDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- UPA2680
UPA2680T1E-E2-AT Hakkında
UPA2680T1E-E2-AT, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajı ve 3A sürekli drain akımı kapasitesiyle, düşük sinyal kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 50mΩ on-resistance değeri ile verimli enerji kullanımı sağlar. İzole edilmiş Schottky diyot özelliği içerir. 6-VDFN Surface Mount paketinde sunulan bu bileşen, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri, LED kontrolü ve düşük voltaj DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Düşük gate charge karakteristiği (3.1 nC) hızlı anahtarlama işlemini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.1 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 190 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-MLP (3x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok