Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
UPA2631T1R-E2-AX
MOSFET P-CH 20V 6A 6HUSON
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 6-WFDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- UPA2631T1
UPA2631T1R-E2-AX Hakkında
UPA2631T1R-E2-AX, Renesas Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi (Vdss) ve 6A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 62mOhm düşük on-direnci (Rds On) sayesinde ısıl kayıplar minimize edilir. 6-WFDFN (2x2mm) yüzey montaj paketi ile kompakt devre tasarımlarında yer alır. Güç yönetimi, batarya şarj devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ortamlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1240 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WFDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 3A, 1.8V |
| Supplier Device Package | 6-HUSON (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok