Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
UPA2630T1R-E2-AX
MOSFET P-CH 12V 7A 6HUSON
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 6-WFDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- UPA2630T1R
UPA2630T1R-E2-AX Hakkında
UPA2630T1R-E2-AX, Renesas Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 7A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 1.8V ve 4.5V sürüş gerilimlerinde 59mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 6-WFDFN (6-HUSON 2x2) yüzeye monte paketinde sunulur. Maksimum 150°C bağlantı sıcaklığında çalışır ve 2.5W güç yayını yapabilir. Düşük gate charge (11.3 nC @ 4.5V) ve input kapasitansi (1260 pF @ 10V) özellikleriyle yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanıldığı DC-DC konvertörleri, güç yönetimi devrelerinde ve genel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Not: Bu parça kullanım dışı (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1260 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WFDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 3.5A, 1.8V |
| Supplier Device Package | 6-HUSON (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok