Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
UPA2600T1R-E2-AX
MOSFET N-CH 20V 7A 6HUSON
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 6-WFDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- UPA2600T1R
UPA2600T1R-E2-AX Hakkında
UPA2600T1R-E2-AX, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi (Vdss) ve 7A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-resistance değeri (19.1mOhm @ 2.5V) ile verimli anahtarlama işlemi gerçekleştirir. 6-WFDFN SMD paketi içerisinde sunulan UPA2600T1R, mobil cihazlar, güç yönetimi uygulamaları, batarya koruma devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. ±12V maksimum gate gerilimi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile güvenilir performans sağlar. 7.9nC gate charge ve 870pF input capacitance parametreleri hızlı ve verimli komutasyon için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WFDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.1mOhm @ 3.5A, 2.5V |
| Supplier Device Package | 6-HUSON (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok