Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
UJ4SC075011K4S
750V/11MOHM, SIC, STACKED CASCOD
- Üretici
- UnitedSiC
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- UJ4SC075011K4S
UJ4SC075011K4S Hakkında
UJ4SC075011K4S, UnitedSiC tarafından üretilen 750V, 11mΩ RDS(on) değerine sahip bir N-Channel Silicon Carbide (SiC) FET transistördür. Stacked Cascod yapısıyla tasarlanan bu bileşen, 104A sürekli drenaj akımı ve 357W güç dağılım kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. ±20V gate voltaj aralığında çalışan transistör, -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında işletilir. TO-247-4 paketinde sunulan UJ4SC075011K4S, güç dönüştürücüleri, invertörler ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde uygulanır. SiC teknolojisi sayesinde düşük kapasitans (Ciss: 3245pF @ 400V) ve hızlı komütasyon özellikleriyle verimli sistem tasarımını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 104A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 750 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3245 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 357W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.2mOhm @ 60A, 12V |
| Supplier Device Package | TO-247-4 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok