Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

UJ4SC075006K4S

750V/6MOHM, SIC, STACKED CASCODE

Üretici
UnitedSiC
Paket/Kılıf
TO-247-4
Seri / Aile Numarası
UJ4SC075006K4S

UJ4SC075006K4S Hakkında

UJ4SC075006K4S, UnitedSiC tarafından üretilen 750V Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı N-channel MOSFET transistördür. Stacked cascode mimarisi ile tasarlanan bu bileşen, 120A sürekli drenaj akımı ve 7.4mOhm maksimum gate-source direnci ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 12V gate sürüş voltajı ile çalışan UJ4SC075006K4S, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri ve dağıtılmış enerji sistemleri gibi endüstriyel uygulamalarda tercih edilmektedir. TO-247-4 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında 714W maksimum güç yayını kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 750 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 12V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8374 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-4
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 714W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.4mOhm @ 80A, 12V
Supplier Device Package TO-247-4
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 6V @ 10mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok