Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
UJ4C075023K3S
750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
- Üretici
- UnitedSiC
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- UJ4C075023K3S
UJ4C075023K3S Hakkında
UnitedSiC UJ4C075023K3S, 750V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET transistördür. 66A sürekli drain akımı ve 23mΩ (12V gate sürücü voltajında) maksimum on-state direnci ile yüksek verimli anahtarlama sağlar. SiC teknolojisi sayesinde düşük kapasitans (1400pF @ 400V), hızlı anahtarlama ve düşük sürücü kayıpları sunar. 750V drain-source voltaj seviyesi, 306W güç dağılımı kapasitesi ve -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel güç dönüştürme, solar inverterler, EV şarj sistemleri ve yüksek frekanslı anahtar uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 66A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 750 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37.8 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 306W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 40A, 12V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok