Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
UJ3C120150K3S
SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3
- Üretici
- UnitedSiC
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- UJ3C120150K3S
UJ3C120150K3S Hakkında
UJ3C120150K3S, UnitedSiC tarafından üretilen N-Channel SiCFET (Silicon Carbide FET) transistörüdür. 1200V drain-source voltaj dayanımına ve 18.4A sürekli drenaj akımına sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 180mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen komponent, anahtarlama güç elektroniği uygulamalarında, invertör devreleri, power factor correction (PFC) ve solar enerji sistemlerinde kullanılır. 12V gate sürücü voltajı ve 30nC maksimum gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 738 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 166.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 5A, 12V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Cascode SiCJFET) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok