Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

UJ3C120070K3S

SICFET N-CH 1200V 34.5A TO247-3

Üretici
UnitedSiC
Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
UJ3C120070K3S

UJ3C120070K3S Hakkında

UJ3C120070K3S, UnitedSiC tarafından üretilen N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) teknolojisine dayalı güç transistörüdür. 1200V drain-source gerilim kapasitesine ve 34.5A sürekli drenaj akımına sahip bu bileşen, TO-247-3 paketinde sunulmaktadır. 90mOhm maksimum açık durumda direnç (Rds On) ile düşük enerji kaybı sağlar. ±25V gate gerilimi aralığında çalışabilen ve -55°C ile 175°C arasında işletilebilen bu transistör, yüksek gerilim güç dönüştürme uygulamalarında, şarj cihazlarında, inverterlerde ve endüstriyel güç elektronikleri sistemlerinde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 34.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 12V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 254.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 20A, 12V
Supplier Device Package TO-247-3
Technology SiCFET (Cascode SiCJFET)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 6V @ 10mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok