Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

UF3SC120040B7S

1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST

Üretici
UnitedSiC
Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
UF3SC120040B7S

UF3SC120040B7S Hakkında

UF3SC120040B7S, UnitedSiC tarafından üretilen 1200V/40mΩ SiC (Silisyum Karbür) teknolojisine dayalı N-Channel cascode FET transistördür. D²Pak (TO-263-8) paketinde sunulan bu komponent, 47A sürekli dren akımı ve 214W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılmaktadır. 12V gate sürüş voltajında 45mΩ maksimum on-direnç (Rds(on)) değeri ile düşük kayıp işletim sağlar. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Yüksek voltaj güç kaynakları, solar inverterler, elektrikli araç şarj sistemleri ve endüstriyel sürücü uygulamalarında tercih edilir. Hızlı anahtarlama özellikleri ve düşük kapasitans değerleri (1500pF @ 100V) ile enerji verimli tasarımları destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 47A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 12V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 35A, 12V
Supplier Device Package D2PAK-7
Technology SiCFET (Cascode SiCJFET)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 6V @ 10mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok