Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

UF3SC120016K4S

SICFET N-CH 1200V 107A TO247-4

Üretici
UnitedSiC
Paket/Kılıf
TO-247-4
Seri / Aile Numarası
UF3SC120016K4S

UF3SC120016K4S Hakkında

UF3SC120016K4S, UnitedSiC tarafından üretilen N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) teknolojisine dayalı güç transistörüdür. 1200V drain-source gerilim ve 107A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 21mOhm maximum on-state direnç (12V gate geriliminde, 50A drain akımında) sayesinde düşük enerji kaybı sağlar. TO-247-4 paketinde sunulan bu bileşen, 217W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. Endüstriyel invertörler, anahtarlı güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek gerilim uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 107A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 12V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 218 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7824 pF @ 800 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-4
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 517W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 50A, 12V
Supplier Device Package TO-247-4
Technology SiCFET (Cascode SiCJFET)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 6V @ 10mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok