Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

UF3SC120016K3S

SICFET N-CH 1200V 107A TO247-3

Üretici
UnitedSiC
Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
UF3SC120016K3S

UF3SC120016K3S Hakkında

UF3SC120016K3S, UnitedSiC tarafından üretilen 1200V N-Channel SiCFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 107A sürekli drenaj akımı ve 21mΩ maksimum Rds(on) değerleriyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 1200V Vdss derecelendirmesi ile güç dönüştürme, motor kontrolü, elektrikli araç sürücüleri ve endüstriyel invörtör devrelerinde yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen transistör, 517W maksimum güç dağılımına sahiptir. Cascode SiCJFET teknolojisine dayanan tasarımıyla, geleneksel MOSFET'lere kıyasla daha düşük kapasitans ve hızlı anahtarlama özellikleri sunar. ±20V gate voltajı aralığında ve 12V drive voltajında optimal performans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 107A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 12V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 218 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7824 pF @ 800 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 517W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 50A, 12V
Supplier Device Package TO-247-3
Technology SiCFET (Cascode SiCJFET)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 6V @ 10mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok