Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
UF3SC120009K4S
SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4
- Üretici
- UnitedSiC
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- UF3SC120009K4S
UF3SC120009K4S Hakkında
UF3SC120009K4S, UnitedSiC tarafından üretilen N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) teknolojisine dayanan bir güç transistörüdür. 1200V yüksek blokaj gerilimi ve 120A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-247-4 paket tipi ile through-hole montajına uygun olan bu bileşen, 11mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +175°C arasında güvenli çalışabilir ve maksimum 789W güç tüketebilir. Yüksek gerilim uygulamalarında, endüstriyel konvertörlerde, motorcontrol sistemlerinde ve güç kaynağı tasarımlarında kullanım için uygundur. Gate charge karakteristiği 234nC olup, 12V sürücü gerilimi ile kontrol edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 234 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8512 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 789W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 100A, 12V |
| Supplier Device Package | TO-247-4 |
| Technology | SiCFET (Cascode SiCJFET) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok