Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
UF3SC065040D8S
SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
- Üretici
- UnitedSiC
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- UF3SC065040D8S
UF3SC065040D8S Hakkında
UF3SC065040D8S, UnitedSiC tarafından üretilen N-Channel SiCFET (Silicon Carbide Field Effect Transistor) transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 58mOhm on-dirençi (RDS(on)) ile düşük güç kayıpları sağlar. 4-DFN (8x8) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Endüstriyel invertörler, motor sürücüleri, güç kaynakları ve solar inverter uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 125W güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Cascode SiCJFET teknolojisi kullanarak hızlı anahtarlama ve verimli enerji dönüşümü sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 12 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 20A, 12V |
| Supplier Device Package | 4-DFN (8x8) |
| Technology | SiCFET (Cascode SiCJFET) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok