Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

UF3SC065040B7S

650V/40MOHM, SIC, STACKED FAST C

Üretici
UnitedSiC
Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
UF3SC065040B7S

UF3SC065040B7S Hakkında

UF3SC065040B7S, UnitedSiC tarafından üretilen 650V/40mOhm N-channel SiC MOSFET transistördür. TO-263-8 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 43A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir ve maksimum 52mOhm on-state direncine (Rds On) ulaşır. SiCFET teknolojisini kullanan bu transistör, anahtarlama hızı ve verimlilik açısından silikon tabanlı bileşenlere göre daha iyi performans gösterir. Güç kaynakları, invertörler, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel uygulamalarda kullanılabilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 195W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 43A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 12V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 30A, 12V
Supplier Device Package D2PAK-7
Technology SiCFET (Cascode SiCJFET)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 6V @ 10mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok