Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

UF3SC065030D8S

SICFET N-CH 650V 18A 4DFN

Üretici
UnitedSiC
Paket/Kılıf
4-PowerTSFN
Seri / Aile Numarası
UF3SC065030D8S

UF3SC065030D8S Hakkında

UF3SC065030D8S, UnitedSiC tarafından üretilen N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) transistörüdür. 650V Drain-Source gerilimi ve 18A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 42mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük konütasyon kayıpları sağlar. 4-DFN (8x8) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında, güç dönüşüm devrelerinde ve motor sürücülerinde kullanılır. ±25V gate gerilimi aralığında çalışır ve -55°C ile 150°C arasında işlem sıcaklığında güvenilir performans sunar. 43nC gate charge değeri hızlı anahtarlamaya olanak tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 12V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 4-PowerTSFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 179W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 20A, 12V
Supplier Device Package 4-DFN (8x8)
Technology SiCFET (Cascode SiCJFET)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 6V @ 10mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok