Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

UF3SC065030B7S

650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C

Üretici
UnitedSiC
Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
UF3SC065030B7S

UF3SC065030B7S Hakkında

UnitedSiC UF3SC065030B7S, 650V derecelendirilmiş N-Channel SiC MOSFET transistörüdür. SiCFET (Cascode SiCJFET) teknolojisi ile üretilen bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevini gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. 62A sürekli dren akımı kapasitesi ve 35mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. TO-263 D²Pak paketinde sunulan UF3SC065030B7S, endüstriyel konvertörler, güç kaynakları, elektrik motorlarının kontrolü ve yüksek voltaj anahtar uygulamalarında kullanılır. 175°C'ye kadar çalışma sıcaklığı, 43nC gate charge değeri ve düşük kapasitans karakteristikleri ile hızlı anahtarlama ve düşük kayıplar sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 62A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 12V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 40A, 12V
Supplier Device Package D2PAK-7
Technology SiCFET (Cascode SiCJFET)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 6V @ 10mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok