Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

UF3C120150K4S

SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4

Üretici
UnitedSiC
Paket/Kılıf
TO-247-4
Seri / Aile Numarası
UF3C120150K4S

UF3C120150K4S Hakkında

UF3C120150K4S, UnitedSiC tarafından üretilen N-Channel SiCFET transistördür. 1200V drain-source gerilimi ve 18.4A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-247-4 paketi ile montajlanır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 12V drive voltajında 180mOhm'luk düşük on-state direnci ve 25.7nC gate yükü, anahtarlama uygulamalarında hızlı ve verimli işletme sağlar. Cascode SiCJFET teknolojisine dayanan bu komponentin maksimum 166.7W güç dağılımı kapasitesi vardır. Güç dönüştürücü, inverter, şarj sistemi ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 12V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 738 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-4
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 166.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 5A, 12V
Supplier Device Package TO-247-4
Technology SiCFET (Cascode SiCJFET)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 10mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok