Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

UF3C120150B7S

1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE

Üretici
UnitedSiC
Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
UF3C120150B7S

UF3C120150B7S Hakkında

UF3C120150B7S, UnitedSiC tarafından üretilen 1200V/150mOhm özelliklerinde bir N-Channel SiC (Silisyum Karbür) MOSFET transistördür. Cascode SiCJFET teknolojisini kullanan bu bileşen, 17A sürekli drenaj akımı ve 180mOhm maksimum RDS(on) değeri ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-8 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan komponent, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Hızlı anahtarlama özellikleri ve düşük gate charge değeri (25.7nC) sayesinde elektrik güç dönüştürme sistemleri, invertörler, DC-DC konvertörler ve endüstriyel motor kontrol uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 12V
FET Feature Super Junction
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 738 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 5A, 12V
Supplier Device Package D2PAK-7
Technology SiCFET (Cascode SiCJFET)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 10mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok