Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

UF3C120080K4S

SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4

Üretici
UnitedSiC
Paket/Kılıf
TO-247-4
Seri / Aile Numarası
UF3C120080K4S

UF3C120080K4S Hakkında

UnitedSiC UF3C120080K4S, 1200V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel SiCFET transistörüdür. 33A sürekli drenaj akımı ve 100mΩ RDS(on) değeri ile güç kaybını minimize eder. Cascode SiCJFET teknolojisini kullanarak hızlı anahtarlama ve düşük kapasitans sağlar. TO-247-4 paketinde üretilmiş bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürücüleri, sürücü devreler, fotovoltaik inverterleri ve elektrik araç uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir, 254.2W güç yayabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 12V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-4
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 254.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 20A, 12V
Supplier Device Package TO-247-4
Technology SiCFET (Cascode SiCJFET)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 6V @ 10mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok