Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

UF3C120080K3S

SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3

Üretici
UnitedSiC
Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
UF3C120080K3S

UF3C120080K3S Hakkında

UF3C120080K3S, UnitedSiC tarafından üretilen N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) transistördür. 1200V drenaj-kaynak gerilimi ve 33A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj güç uygulamalarında kullanılır. 100mΩ maksimum açık durum direnci (Rds On) ile verimli enerji dönüşümü sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, elektrik araçları, endüstriyel hız kontrol devreleri, invertörler ve anahtarlanmış güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ve 254.2W maksimum güç kaybı kapasitesi ile güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 12V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 254.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 20A, 12V
Supplier Device Package TO-247-3
Technology SiCFET (Cascode SiCJFET)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 6V @ 10mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok