Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
UF3C120080B7S
SICFET P-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
- Üretici
- UnitedSiC
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- UF3C120080B7
UF3C120080B7S Hakkında
UF3C120080B7S, UnitedSiC tarafından üretilen SiCFET (Cascode SiCJFET) teknolojisine dayanan N-Channel güç transistörüdür. 1200V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarına uygundur. 28.8A sürekli dren akımı kapasitesi ve 105mOhm (@ 20A, 12V) on-resistance değerleri ile enerji verimliliği sunar. TO-263-8 (D²Pak) yüzey monte paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Gate charge karakteristiği (23nC @ 12V) hızlı anahtarlama sağlar. Endüstriyel dönüştürücüler, güç kaynakları, fotovoltaik sistemler ve traction uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 12 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 754 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 20A, 12V |
| Supplier Device Package | D2PAK-7 |
| Technology | SiCFET (Cascode SiCJFET) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok