Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

UF3C120040K4S

SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4

Üretici
UnitedSiC
Paket/Kılıf
TO-247-4
Seri / Aile Numarası
UF3C120040K4S

UF3C120040K4S Hakkında

UnitedSiC UF3C120040K4S, 1200V drenaj-kaynak gerilimi ile çalışan N-Channel SiCFET transistördür. 65A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 45mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük açık kanal direnci sağlar. TO-247-4 paketinde sunulan transistör, yüksek sıcaklık ortamlarında -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Cascode SiCJFET teknolojisi ile üretilen bu FET, güç dönüşüm uygulamaları, inverter devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel güç yönetim sistemlerinde kullanılır. 43nC maksimum gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sağlarken, düşük giriş kapasitansı (1500pF @ 100V) sürücü devresi tasarımını kolaylaştırır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 65A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 12V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-4
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 429W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 40A, 12V
Supplier Device Package TO-247-4
Technology SiCFET (Cascode SiCJFET)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 6V @ 10mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok