Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

UF3C065080B7S

SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7

Üretici
UnitedSiC
Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
UF3C065080B7S

UF3C065080B7S Hakkında

UnitedSiC UF3C065080B7S, N-channel SiCFET (Cascode SiCJFET) teknolojisinde tasarlanmış bir güç transistörüdür. 650V drain-source geriliminde 27A sürekli drenaj akımı ile çalışan bu bileşen, düşük on-state direnç (105mOhm @ 20A, 12V) ve düşük kapı yükü (23nC) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimlilik sağlar. D²Pak (TO-263-8) yüzey montajlı pakette sunulan transistör, -55°C ile 175°C arası sıcaklık aralığında çalışır. Güç kaynakları, solar inverterleri, elektrik araçları ve endüstriyel motor sürücüleri gibi yüksek verimlilik gerektiren uygulamalarda kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 136.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 20A, 12V
Supplier Device Package D2PAK-7
Technology SiCFET (Cascode SiCJFET)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 6V @ 10mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok