Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

UF3C065030K3S

SICFET N-CH 650V 85A TO247-3

Üretici
UnitedSiC
Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
UF3C065030K3S

UF3C065030K3S Hakkında

UnitedSiC UF3C065030K3S, SiCFET teknolojisine dayalı N-Channel güç transistörüdür. 650V drain-source voltaj ve 85A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 35mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç iletimi sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Endüstriyel inverter devreleri, motor kontrol sistemleri, anahtarlama güç kaynakları ve renewable enerji uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 85A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 12V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 441W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 50A, 12V
Supplier Device Package TO-247-3
Technology SiCFET (Cascode SiCJFET)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 6V @ 10mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok