Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

UF3C065030B3

MOSFET N-CH 650V 65A TO263

Üretici
UnitedSiC
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
UF3C065030B3

UF3C065030B3 Hakkında

UnitedSiC tarafından üretilen UF3C065030B3, 650V drain-source gerilimi ile tasarlanmış N-channel MOSFET transistördür. 65A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, TO-263-3 (D²Pak) kasa tipinde surface mount olarak monte edilir. 35mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. Gate charge değeri 51nC olup, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 242W güç dağıtma kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında, inverter devreleri, motor sürücüleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi alanlarda kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 65A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 12V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 242W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 40A, 12V
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 6V @ 10mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok