Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TW070J120B,S1Q
SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TW070J120B
TW070J120B,S1Q Hakkında
TW070J120B,S1Q, Toshiba tarafından üretilen Silicon Carbide (SiCFET) teknolojisine dayalı N-kanal güç MOSFETidir. 1200V drenaj-kaynak gerilimi ve 36A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 90mΩ maksimum on-direnci, düşük kapasitans değerleri ve hızlı anahtarlama karakteristiği sayesinde güç dönüştürücü, invertör, kaynak şarj cihazları ve endüstriyel uygulamalar için tasarlanmıştır. TO-3P paketinde sunulan bileşen -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. SiCFET teknolojisi, geleneksel Si-MOSFETlere kıyasla daha düşük kayıplar ve yüksek sıcaklık dayanımı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1680 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 272W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 18A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-3P(N) |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | ±25V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.8V @ 20mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok