Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TT8U2TCR

MOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSST

Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
TT8U2TCR

TT8U2TCR Hakkında

TT8U2TCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET'tir. 20V drain-source gerilimi ve 2.4A sürekli drain akımı ile çalışır. 105mΩ on-resistance değeri (4.5V gate geriliminde) ile düşük güç kaybı sağlar. 6.7nC gate charge ve 850pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. Entegre Schottky diyot (isolated) içerir. 8-SMD Flat Lead paket türünde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, anahtarlamalı güç kaynakları, motor sürücüler ve diğer anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığı ve 1.25W maksimum güç dissipasyonu ile endüstriyel ve tüketici elektronikleri tasarımlarına uygun bir seçenektir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 2.4A, 4.5V
Supplier Device Package 8-TSST
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok