Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TT8U1TR

MOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSST

Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
TT8U1TR

TT8U1TR Hakkında

TT8U1TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ile 2.4A sürekli drenaj akımını destekler. 4.5V gate geriliminde 105mOhm on-state direncine sahiptir. 8-TSST SMD paketinde sunulan bu transistör, izole Schottky diyot özelliği barındırır. İzole gaz boşalması (gate charge) 6.7 nC olup, giriş kapasitesi 850 pF'dir. ±10V maksimum gate gerilimi ile kontrol edilebilir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 1.25W güç dağıtabilir. Düşük gate charge ve düşük Rds(On) değerleri sayesinde anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 2.4A, 4.5V
Supplier Device Package 8-TSST
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok