Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM9ND50CI
MOSFET N-CH 500V 9A ITO220
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM9ND50CI
TSM9ND50CI Hakkında
TSM9ND50CI, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drain akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde monte edilen bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 900mOhm'luk Rds(on) değerine sahiptir. Maksimum 50W güç tüketimi belirtilen bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, inverter ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Gate şarj kapasitesi 24.5nC'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1116 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.3A, 10V |
| Supplier Device Package | ITO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok