Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM9N90ECZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 900V 9A TO220
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM9N90ECZ
TSM9N90ECZ C0G Hakkında
TSM9N90ECZ C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 900V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, motor kontrolü ve inverter uygulamalarında yer bulur. 1.4Ω maksimum on-state direnç (Rds On) ile enerji kaybını azaltır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Gate charge karakteristiği 72nC @ 10V olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. Maksimum ±30V gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2470 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok