Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM9N90ECI C0G
MOSFET N-CH 900V 9A ITO220AB
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM9N90ECI
TSM9N90ECI C0G Hakkında
TSM9N90ECI C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paket türünde sunulan bu bileşen, 9A sürekli drain akımı ve 1.4Ω maksimum RDS(on) değeriyle yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevini gerçekleştirir. 10V gate sürücü gerilimi ile kullanılan transistör, ±30V maksimum Vgs ve 4V eşik gerilimi ile ilgili devrelerde kontrollü açma-kapama işlemini sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç kaynakları, invertörler, motor sürücüleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 89W maksimum güç tüketimiyle endüstriyel ve tüketici elektronik sistemlerinde tercih edilmektedir. Bileşen obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2470 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | ITO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok