Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM950N10CW RPG
MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM950N10CW
TSM950N10CW RPG Hakkında
TSM950N10CW RPG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drenaj-kaynak gerilimi ve 6.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 95mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kondüktans kaybı sağlar. SOT-223 yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, PWM kontrol devreleri, DC-DC konvertörler, motor sürücü devreleri ve güç yönetim sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans gösterir. ±20V maksimum kapı-kaynak gerilimi ve 2.5V eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1480 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 9W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok