Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM900N10CH X0G
MOSFET N-CH 100V 15A TO251
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM900N10CH
TSM900N10CH X0G Hakkında
TSM900N10CH X0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ve 15A sürekli drain akımı (Id) ile tasarlanmıştır. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 90mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Gate eşik gerilimi 2.5V olup, maksimum gate gerilimi ±20V'dur. 9.3nC gate yükü ve 1480pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında 50W güç tüketimini tolere edebilir. Güç dönüştürme devreleri, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1480 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 (IPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok