Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM900N06CW RPG
MOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM900N06CW
TSM900N06CW RPG Hakkında
TSM900N06CW RPG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 11A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. 90mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamaları destekler. SOT-223 yüzey monte paketi sayesinde kompakt tasarımlar için uygundur. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok