Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM8N80CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM8N80CZ
TSM8N80CZ C0G Hakkında
TSM8N80CZ C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V Drain-Source voltajı ve 8A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüleri, inverter devreler ve motor kontrol uygulamalarında yer alır. 1.05Ω maksimum RDS(on) değeri ile iyi iletkenlik özelliği gösterir. 40.3W maksimum güç kaybı kapasitesi ve -55°C ile 150°C arası geniş çalışma sıcaklık aralığı endüstriyel ortamlara uygunluğunu gösterir. Gate charge değeri 41nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1921 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 40.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok