Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM8N70CI C0G

MOSFET N-CH 700V 8A ITO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
TSM8N70CI

TSM8N70CI C0G Hakkında

TSM8N70CI C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 700V drain-source gerilim, 8A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paket tipinde, through-hole montajı ile PCB uygulamalarına entegre edilir. 10V sürücü geriliminde 900mOhm maksimum on-state direnci ile güç kaybını sınırlar. Gate charge değeri 32nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygun karakteristiklere sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç dönüştürücüler, anahtarlı güç kaynakları, motor sürücüleri ve yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 40W maksimum güç harcama kapasitesine sahip olup, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2006 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package ITO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok