Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM85N10CZ C0G

MOSFET N-CHANNEL 100V 81A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
TSM85N10CZ

TSM85N10CZ C0G Hakkında

TSM85N10CZ C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 81A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılan bir yariiletken bileşenidir. TO-220 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi sistemlerinde ve motor kontrolü uygulamalarında yer alır. 10mOhm maksimum gate-source direnci ile düşük geçiş kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında kullanılmasına olanak tanır. 210W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Bileşen artık üretilmemekte olup, varolan stoklar için kullanılabilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 81A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3900 pF @ 30 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok