Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM850N06CX RFG
MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM850N06CX
TSM850N06CX RFG Hakkında
TSM850N06CX RFG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source geriliminde 3A sürekli drenaj akımı sunmaz. 85mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. SOT-23 paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve enerji dönüştürme devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ~ 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve 1.7W maksimum güç yayması mümkündür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 529 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 2.3A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok