Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM80N950CI C0G
MOSFET N-CH 800V 6A ITO220AB
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM80N950CI
TSM80N950CI C0G Hakkında
TSM80N950CI C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET'tir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 6A sürekli drenaj akımı ve 950mΩ maksimum Rds(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±30V kapı gerilim aralığında çalışan bileşen, -55°C ile +150°C arasında işletme sıcaklığını destekler. 25W maksimum güç tüketimi ile güç elektroniği devrelerinde, inverterler, anahtarlı regülatörler ve motor sürücülerinde uygulanır. 10V kapı geriliminde 19.6nC gate charge değeri hızlı anahtarlamaya olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 691 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | ITO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok