Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM80N1R2CP ROG
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM80N1R2CP
TSM80N1R2CP ROG Hakkında
TSM80N1R2CP ROG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilim ve 5.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç anahtarlaması, inverter devreleri, AC/DC dönüştürücüleri ve yüksek voltajlı uygulamalarda kullanılır. 1.2Ω (10V, 2.75A'de) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan komponentin -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş uygulama imkanı tanır. 19.4nC gate charge ve 685pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 685 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok