Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM80N1R2CI C0G
MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220AB
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM80N1R2CI
TSM80N1R2CI C0G Hakkında
TSM80N1R2CI C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V Drain-Source voltaj ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 5.5A sürekli drain akımı ve 1.2Ω maksimum on-direnci ile güç elektronikleri, endüstriyel kontrol devreleri, AC/DC konvertörleri ve motor sürücülerinde uygulanır. TO-220-3 Full Pack kasa ile monte edilir ve -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 10V drive voltajında gate charge 19.4nC, input kapasitans 685pF'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 685 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 1.8A, 10V |
| Supplier Device Package | ITO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok