Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM80N1R2CH C5G
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO251
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM80N1R2CH
TSM80N1R2CH C5G Hakkında
TSM80N1R2CH C5G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V Drain-Source gerilim (Vdss) ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmaya uygun olup, 25°C'de 5.5A sürekli drenaj akımı sağlar. 1.2Ω maksimum RDS(ON) değeri ile düşük iletim kaybı karakteristiğine sahiptir. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında 110W maksimum güç disipasyonuna kapasitedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 685 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 (IPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok