Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM7ND65CI
MOSFET N-CH 650V 7A ITO220
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM7ND65CI
TSM7ND65CI Hakkında
TSM7ND65CI, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET'tir. TO-220-3 paketlemesiyle sunulan bu transistör, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 7A sürekli drenaj akımı ve 1.35Ω maksimum on-state direnci ile güç kaybını minimize eder. Maksimum 50W güç tüketim kapasitesine sahiptir. Gate charge karakteristiği 25nC olup, hızlı anahtarlama işlemlerini destekler. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel sürücüler, güç dönüştürücüleri, UPS sistemleri ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1124 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35Ohm @ 1.8A, 10V |
| Supplier Device Package | ITO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok