Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM7ND60CI
MOSFET N-CH 600V 7A ITO220
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM7ND60CI
TSM7ND60CI Hakkında
TSM7ND60CI, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilim dayanımı ve 7A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında çalışır. TO-220-3 gövdesinde paketlenmiş olan bu bileşen, güç dönüştürme, anahtarlama devreleri, motor kontrol ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 1.2Ω maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. 50W maksimum güç tüketimi ve 25nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1108 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | ITO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok