Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM7N90CI C0G

MOSFET N-CH 900V 7A ITO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
TSM7N90CI

TSM7N90CI C0G Hakkında

TSM7N90CI C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 900V yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 7A sürekli dren akımı kapasitesine ve 1.9Ω maksimum Rds(on) değerine sahiptir. 49nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği gösteren bu MOSFET, endüstriyel uygulamalarda, güç kaynağı tasarımlarında, motor kontrol devrelerinde ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bileşen, maksimum 40.3W güç tüketimi ile tasarlanmıştır. ±30V Vgs aralığında güvenli şekilde çalışan cihaz, obsolete durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1969 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 40.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package ITO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok