Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM7N65ACI C0G

MOSFET N-CH 650V 7A ITO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
TSM7N65ACI

TSM7N65ACI C0G Hakkında

TSM7N65ACI C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 7A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, switching power supplies, inverter devreleri, motor kontrolü ve güç dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. 1.45Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Gate voltajı ±30V limitinde, 4V gate threshold voltajıyla hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1406 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.45Ohm @ 3A, 10V
Supplier Device Package ITO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok