Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM70N900CI C0G
MOSFET N-CH 700V 4.5A ITO220AB
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM70N900CI
TSM70N900CI C0G Hakkında
TSM70N900CI, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 700V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol uygulamaları, anahtarlama güç kaynakları ve enerji yönetim sistemlerinde tercih edilir. 10V gate sürü gerilimi ile çalışan transistör, 900mΩ maksimum on-direnci ve 4V threshold gerilimi sayesinde verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen cihaz, 50W maksimum güç dağıtımı ile endüstriyel ve ticari uygulamalarda güvenilir bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 482 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | ITO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok