Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM70N900CH C5G

MOSFET N-CH 700V 4.5A TO251

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
TSM70N900CH

TSM70N900CH C5G Hakkında

TSM70N900CH C5G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 700V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında güç anahtarlaması ve anahtar modlu güç kaynakları tasarımlarında kullanılır. TO-251 (IPAK) paketi ile montaj kolaylığı sağlar. 900mΩ on-state direnci (1.5A, 10V'de) ve düşük gate charge karakteristiği (9.7nC @ 10V) ile enerji verimli çalışma sunar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 482 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package TO-251 (IPAK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok