Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM70N600CI C0G

MOSFET N-CH 700V 8A ITO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
TSM70N600CI

TSM70N600CI C0G Hakkında

TSM70N600CI C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 700V drain-source gerilim ve 8A sürekli drain akım kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi yapmak için tasarlanmıştır. 10V gate sürüş gerilimiyle maksimum 600mΩ On-Resistance değerine ulaşır. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihaz, 83W güç dağılımı kabiliyetine sahiptir. Power supply kontrol devreleri, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±30V maksimum gate-source gerilimi ile koruma sınırları net bir şekilde tanımlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 743 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package ITO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok